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日本napson非接觸渦流法薄層電阻檢測(cè)

訪問(wèn)次數(shù):3360

更新日期:2024-03-17

簡(jiǎn)要描述:

日本napson非接觸渦流法薄層電阻檢測(cè)NC-80MAP
使用多種類型的非接觸式探頭的電阻測(cè)量?jī)x器,范圍廣泛
(要安裝的探頭數(shù)量和探頭類型可根據(jù)要求更改)

日本napson非接觸渦流法薄層電阻檢測(cè)

日本napson非接觸渦流法薄層電阻檢測(cè)NC-80MAP

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 使用多種類型的非接觸式探頭的電阻測(cè)量?jī)x器,范圍廣泛
    (要安裝的探頭數(shù)量和探頭類型可根據(jù)要求更改)
  • 從8 mm的邊緣可以進(jìn)行多點(diǎn)測(cè)量
  • 由于它是一種非接觸式渦流方法,因此可以進(jìn)行測(cè)量而不會(huì)損壞它。
  • 可編程測(cè)量模式和2-D / 3-D映射軟件
  • *選項(xiàng):安裝了額外的晶圓厚度測(cè)量探針

日本napson非接觸渦流法薄層電阻檢測(cè)NC-80MAP

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
 新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
 導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
 硅基外延,離子與
 半導(dǎo)體相關(guān)的進(jìn)樣樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
 其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)xi)

測(cè)量尺寸

2-8英寸
(可選; 12英寸)

測(cè)量范圍

[電阻] 1m至200Ω? cm
(*所有探頭類型的總量程/厚度500um)
[抗剪強(qiáng)度] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總量程)

*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍,請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。

(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

 

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