filgen鋨等離子體鍍膜機的導電超薄膜形成機理

發(fā)布日期：2024-12-25      瀏覽次數：249

filgen鋨等離子體鍍膜機的導電超薄膜形成機理

這是一種主要用于SEM樣品的導電性薄膜的制造裝置，采用“利用直流輝光放電的負輝光相區(qū)域的等離子膜制造方法”。

導電超薄膜形成機理

標準型可選配導電超薄膜形成機構。 此外，它可以作為選項安裝在您已經使用的設備（兼容型號）上。 僅低電流法、僅混合氣體法、低電流法+混合氣體法均可作為選項安裝。 導電超薄膜機構（混合氣體法）和親水處理機構不能同時安裝。 此外，主機的外部尺寸和重量將根據安裝的選件而變化。 此外，關于這種導電超薄膜機制，我們已經獲得了使用鋨等離子體鍍膜機的成膜方法的。 名稱：導電超薄膜機構（低電流法） 號：第5419723號 發(fā)明名稱：導電薄膜的等離子體沉積方法

[抑制影響超薄膜厚度再現(xiàn)性的浪涌電流的影響] 放電開始時，會產生超過穩(wěn)定電流的大量浪涌電流。這種浪涌電流的發(fā)生很難預測，而最大限度地避免這些影響是提高3.0 nm以下超薄膜厚度再現(xiàn)性的關鍵。
Philgen的導電超薄膜沉積機制 從沒有電流流動的真空狀態(tài)施加放電電壓，逐漸增加OsO4氣體的量，并在監(jiān)控放電電流的同時控制放電時間，以減少浪涌電流的影響，從而實現(xiàn)了最小化。超薄膜的膜厚再現(xiàn)性高。 （標準型與導電性超薄膜形成機理的比較） - 標準型 導電超薄膜形成機理 最小膜厚設定值 1納米 0.1納米 按下啟動開關后的流程 OsO4氣體介紹 從沒有放電電流流過的真空狀態(tài)施加電壓 氣體導入量控制 逐漸增加OsO4氣體的量 放電開始 放電電流根據氣體量逐漸增加。 出院結束 出院結束


“低電流法+混合氣體法”與“低電流法”安裝方式比較

 

OPC80T-LM （低電流法+混合氣體法） OPC80T-L （低電流法） 該類型在傳統(tǒng)鋨等離子體鍍膜機（OPC80T）的基礎上增加了低電流法/混合氣體法 。 可以以良好的再現(xiàn)性形成約0.5至3nm的超薄鋨膜。 您也可以使用標準類型的膜。 點擊此處查看 超薄鋨膜-等離子體聚合膜的截面TEM圖像 該類型在傳統(tǒng)鋨等離子體鍍膜機 (OPC80T) 的基礎上增加了低電流方法 。 可以以良好的再現(xiàn)性形成約0.5至3nm的超薄鋨膜。 您也可以使用標準類型的膜。 點擊此處查看 超薄鋨膜-等離子體聚合膜的截面TEM圖像



低電流法和混合氣體法

 

●低電流法 該方法從OsO4氣體濃度低至足以防止輝光放電開始的高真空狀態(tài)施加電壓，并以低放電電流形成膜。這通過防止在放電初始階段流過大電流來提高再現(xiàn)性。 ●混合氣體法 通過在OsO 4 氣體中混入惰性氣體，OsO 4 氣體濃度降低，成膜速度降低，控制變得容易。由于可以僅使用惰性氣體進行放電，因此可以擴展到蝕刻等。